当前位置: 主页 > 国家半导体照明工程 >

祝贺!清华大学电子工程系罗毅教授当选为中国工程院院士

发布日期:2021-11-23 09:13   来源:未知   阅读:

  11月18日,2021年两院院士增选结果正式揭晓,共有149人当选(详见附件)。中国科学院增选院士65人,中国工程院增选院士84人。其中,在光电领域清华大学电子工程系罗毅教授当选为中国工程院信息与电子工程学部院士。

  罗毅,1960年2月生,清华大学电子工程系教授。于1983年在清华大学获学士学位,分别于1987年、1990年在日本东京大学获硕士和博士学位。1992年起受聘清华大学电子工程系教授。1995年获国家杰出青年科学基金,1999年任教育部长江特聘教授。1997-2012年连续三届担任集成光电子学国家重点联合实验室主任,现任北京信息科学与技术国家研究中心副主任,国务院学位委员会电子科学与技术学科评议组召集人。

  主要研究化合物半导体光电子器件及其集成应用技术,包括激光器、LED、光调制器、光探测器,及其在光纤通信、宽带信息感知、半导体照明等领域的应用。发表学术论文367篇,授权发明专利34项。获得国家技术发明二等奖3项,国家科技进步二等奖1项。

  据百度百科资料显示,2002年,罗毅教授负责的2500万元的GaN蓝光发光管的研究与开发项目通过了鉴定;建设了包括德国AIXTRON公司MOCVD设备在内的GaN材料与器件研究基地,自行研制的蓝色发光二极管获得突破,15000余个器件的测试结果表明,器件的典型工作特性与国际上高亮度发光二极管的市场水平基本相当。

  2003年,正式在深圳研究生院建立了以罗毅教授为实验室主任的半导体照明实验室,主要从事大功率照明用LED的封装技术研究,从而建成了从芯片外延到器件封装的一整套研究平台。科技部启动了半导体照明工程后,罗毅教授被选为专家组成员。

  近几年来,罗毅教授的研究重点是分布反馈半导体激光器及单片光子集成器件,是增益耦合DFB激光器——国际公认的优秀光源的开创者之一,他也是国内最早从事DFB激光器与电吸收调制器单片集成研究的科学家。他入选了国家教委首批跨世纪优秀人才计划、获得教育基金会青年教师基金、自然科学基金优秀中青年人才专项基金、自然科学基金杰出青年基金A类项目以及C类项目的资助、作为负责人正在承担国家自然科学基金重大项目“半导体光子集成基础研究”子课题“含Bragg光栅反射器的光子集成器件的基础研究”、“863计划”项目“10Gbit/s DFB半导体激光器/电吸收调制器单片光子集成器件”。国家重点实验室的二次建设项目。作为首席科学家正在主持国家重大基础研究项目“支撑高速、大容量信息网络系统的光子集成基础研究”。共发表各类论文300余篇,其中有国际着名杂志论文超过90篇,国际会议论文超过近115篇。获得40多项专利,包括18项日本专利,一项欧洲专利,一项美国专利,国内专利若干。

  另悉,一年一度的LED及第三代半导体领域年度盛会——第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛(IFWS & SSLCHINA 2021)将于2021年12月6-8日在深圳会展中心举行。经论坛组委会确认,中国工程院院士罗毅教授将出席论坛。

  IFWS & SSLCHINA 2021以创芯生态 碳索未来为主题,由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)联合主办,旨在推动半导体照明技术的革新与跨界应用,积极促进第三代半导体在电力电子、光电、移动通信等领域的技术应用的国际交流与合作,全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、器件、模块、下游应用的创新发展,并为全球范围内第三代半导体全产业链的交流与合作提供平台。国际第三代半导体论坛与中国国际半导体照明论坛同时同地举办,同台汇力,相映生辉,放眼LED+和先进电子材料更广阔的未来。

  本届论坛,设有开幕大会、功率电子器件与应用论坛、射频电子器件与应用论坛、半导体照明与应用论坛、Mini/Micro-LED及其他新型显示论坛、超越照明论坛、材料与装备论坛、固态紫外器件与应用论坛、车用半导体创新合作峰会、产业生态与投资峰会、第三代半导体产教融合发展论坛、电力电子标准与检测研讨会、闭幕仪式等超30场次论坛活动。聚焦第三代半导体功率电子技术、光电子技术、射频电子技术的国内外前沿进展;第三代半导体功率电子技术、光电子技术、射频电子技术的产业发展战略、失策与机遇;第三代半导体材料相关技术与新一代信息技术、新能源汽车、新一代通用电源、高端装备等产业的相互促进与深度融合;产业链、供应链多元化与核心技术攻关等。也欢迎业界同仁参与其中,对接资源,洽谈商机,共商产业发展大计。点击了解详情香港最快开奖记录资料